优化照明掩模版

分辨率达2.5μm

通过照明优化与维纳反卷积，在可见光下将实际分辨率提升至2.5μm，突破理论极限3.0μm，显著提升缺陷检测能力。

Li, Kunyang · Shuying, Deng · Zhang, Aiqin · Jinjiang, Fu · Junyao, Luo · Chen, Xuehao · 周建英 · Zhou, Zhou

Microelectronic Engineering 2024

参数信息

理论分辨率

3.0 μm

实际分辨率

2.5 μm

技术优势

显著提升多种周期条纹的成像质量

适用于EUV掩模检测的预备工作