多目标源掩模优化

工艺窗口提升超20%

基于NSGA-II的多目标优化算法，可直接扩大光刻工艺窗口，同时保持焦距内成像质量

Qingyan, Zhang · Liu, Junbo · Sun, Haifeng · Ji, Zhou · Jin, Chuan · Wang, Jian · Li, Yanli · Song, Hu

Optics Express 2024

参数信息

工艺窗口提升（DOF和EL）

20 %

工艺窗口提升（复杂图案）

4

技术优势

直接优化工艺窗口

通过VLIM快速焦面变化成像模型，NSGA-SMO直接优化DOF和EL，而非仅优化焦平面成像质量，从而直接提升鲁棒性。

复杂图案提升四倍

对于复杂图案，NSGA-SMO相比单目标SMO在工艺窗口上提升4倍，表明方法在难优化场景中优势明显。

应用场景

• 先进光刻工艺：用于先进节点光刻的源掩模联合优化，直接扩大工艺窗口。
• 芯片制造良率提升：通过提升工艺窗口增强光刻鲁棒性，减少工艺变化导致的良率损失。
• 光刻分辨率增强：在保持成像质量的同时优化源和掩模，实现更高分辨率的光刻。