PASS光刻胶

14nm分辨率高灵敏

面向EUV光刻的高分辨率高灵敏度光刻胶，同时解决存储稳定性和灵敏度问题。

Rui-Sheng, Zhang · Yu, Xin Lu · 李强 · 罗峰 · 邱化玉 · 伍广朋

ACS Nano 2025

参数信息

分辨率

14 nm

灵敏度

4.3 μC/cm²

对比度

5.1

凝胶期

360 days

技术优势

分辨率达14 nm

优化配方在电子束光刻下实现14 nm分辨率，线边缘粗糙度仅1.3 nm。

灵敏度高一个量级

灵敏度达到4.3 μC/cm²，比传统HSQ提升160倍。

存储稳定一年

凝胶期长达360天，显著优于传统HSQ。

光酸双重增益

PAG既催化硅氧烷交联，又抑制硅中心的亲核进攻，同时提升灵敏度和存储稳定性。

应用场景

• EUV光刻胶：可直接用作EUV光刻胶，实现高分辨率图案化。
• 半导体纳米制造：适用于半导体纳米制造中的精细图形转移。
• 先进制程芯片：满足先进制程芯片对14 nm以下线宽的需求。
• 下一代半导体：为下一代半导体提供高分辨且稳定的光刻材料。