氮退火Ga₂O₃薄膜

氧空位显著减少

经氮气退火处理后，该Ga₂O₃薄膜的氧空位浓度显著下降，带隙与价带顶均增大，原子层沉积后的薄膜质量得到系统提升。

Wen-Jie, Chen · 马宏平 · Lin Gu · Shen, Yi · Ruo-Yun, Yang · Jie, Zhang · 杨磊 · Zhu, Jingtao · 张清纯

Journal of Physical Chemistry C 2023

参数信息

带隙

5.01 eV

价带顶

2.67 eV

表面粗糙度

1.58 nm

技术优势

氧空位显著减少

氮气退火后，XPS测试显示氧空位浓度显著降低，薄膜化学计量比接近理想值。

带隙可调控至5.01 eV

通过改变退火温度，带隙可在4.73–5.01 eV间调节，满足不同器件需求。

工艺简单可控

采用常规氮气退火工艺，无需复杂设备，即可实现薄膜光学、电学和微结构性质的精确控制。

应用场景

• 光电探测器：带隙可调至5.01 eV，适合深紫外探测。
• 功率器件：宽禁带与低缺陷密度提升击穿电压。
• 透明电子器件：高透光率与可控电学性质可用于透明电极。
• 宽禁带半导体：带隙达5.01 eV，满足宽禁带应用需求。