单轴应变GeSn发光

效率提升17倍

通过单轴应变工程将GeSn合金转变为直接带隙半导体，解决了其作为间接带隙材料发光效率低的问题，为硅基光源提供了新途径。

Zhu, Zhaorong · 周满 · Bing, Wang · Xiang, Xu

Construction and Building Materials 2024

参数信息

光致发光效率提升

17 倍

技术优势

应变诱导直接带隙转变

应用场景

• 硅基光源：提供与CMOS工艺兼容的高效发光材料，用于硅基光源。
• 硅光子集成：通过应变工程将发光材料集成到硅光子平台中。
• 片上光互连：该光源可用于片上光互连，实现芯片内高速数据传输。
• 红外发光器件：GeSn直接带隙发光覆盖红外波段，适用于红外发光器件。