共掺杂降低电阻率
硼硫共掺杂通过离子注入实现金刚石导电性能的调控，为半导体应用提供高质量掺杂层。
Zhaoliang, Yu · 王兵 · 刘战强 · Wang, Zhao · Zhao, Jinfu · 吉春辉 · 汪澎洋
Applied Surface Science 2026
通过分子动力学、第一性原理和离子注入实验，揭示了硼硫共掺杂金刚石的缺陷演化与变形机理，为掺杂工艺优化提供依据。
发现 B:S=1:2 时掺杂和空位浓度最高，有利于增强载流子迁移率，为高效掺杂提供直接参考。
退火处理可修复特定晶格缺陷，促进点缺陷在室温下的迁移和愈合，从而改善掺杂层质量。
霍尔效应测量证实硼硫共掺杂能降低金刚石电阻率，有望用于制备导电性能更优的金刚石器件。