二维β-Bi₂O₃晶体

高空穴迁移率

一种原子级厚度、非层状结构的p型二维半导体，可用作高性能p沟道晶体管的沟道材料。

Xiong, Yunhai · Xu, Duo · 邹友生 · Xu, Lili · Yan, Yujie · Wu, Jianghua · 宋秀峰 · Qu, Kairui · Tong, Zhao · Gao, Jie · Yang, Jialin · 张凯 · 张胜利 · Wang, Peng · 陈相 · 曾海波

Nature Materials 2025

具体参数

空穴迁移率

{'zh': '136.6', 'en': '136.6'} cm² V⁻¹ s⁻¹

开关电流比

{'zh': '1.2e8', 'en': '1.2e8'}

技术优势

空穴迁移率高

室温下达到136.6 cm² V⁻¹ s⁻¹，匹配甚至超过许多n型二维材料，使p沟道器件性能不再拖后腿。

开关比高

开关电流比高达1.2×10⁸，保证晶体管在逻辑应用中具有清晰的开关状态和低泄漏。

应用场景

• p沟道晶体管：用作p沟道晶体管的沟道材料，弥补p型二维材料的性能短板。
• 互补逻辑电路：与n型二维材料配对构建互补逻辑电路，实现低功耗数字运算。
• 二维电子器件：作为二维电子器件中的p型有源层，用于各种功能器件。
• 柔性电子器件：原子级厚度有利于柔性电子器件中的弯曲耐受性。