Bi注入Ga₂O₃多晶层

橙光发射追踪损伤

不引入发光离子的Bi注入，用纯净橙光发射原位标记β↔γ相变与缺陷演化，退火即可恢复本征紫外发光。

Matar, Fatima S. · Azarov, Alexander · Shi, Yingli · Amar K., Salih · Irvine, Curtis P. · Westerhausen, Mika T. · Francis, Chi-Chung Ling · Phillips, Matthew R. · Kuznetsov, Andrej Yu · Ton-That, C.

Materials Science in Semiconductor Processing 2026

具体参数

橙色发光带能量

2.0 eV

Bi离子价态

3+

技术优势

不引入发光干扰

Bi作为等电子荧光惰性示踪剂，抑制了掺杂剂相关发射中心，使得观察到的发光变化直接对应镓亚晶格无序。

橙光可追踪损伤

橙光发射强度与离子注入损伤剖面一致，可用于定量监测注入损伤程度和分布。

紫外发光可恢复

退火后γ相回复到β相，本征的紫外自陷空穴发射恢复，同时橙光带被强烈抑制，表明缺陷发光可以通过退火有效调控。

应用场景

• 功率器件：评估离子注入对载流子输运和缺陷辅助复合的影响，指导工艺窗口设计。
• 缺陷工程：利用橙光带作为缺陷浓度的无损光学探针，监测注入和退火过程中缺陷演化。