氮杂苉半导体

空穴迁移率1 cm²/Vs

苝的非交替异构体，鱼骨状π-π堆积，空穴传输性能远超苝。

黄飞 · 陈勇 · 杨宇东 · Marín-Beloqui, José Manuel · 兰静波 · 游劲松 · Casado, Juan · Zhang, Cheng

Angewandte Chemie - International Edition 2025

参数信息

空穴迁移率

1.03 cm2 V-1 s-1

技术优势

空穴迁移率超越苝

鱼骨状π-π堆积提供高效电荷传输通道，使迁移率远高于苝。

分子堆积利于电荷传输

晶体呈鱼骨状π-π堆积，为有机半导体器件提供了理想的载流子传输路径。

合成路线明确

已制备出四种2,8-二烷氧基衍生物，说明合成方法可扩展至系列化合物。

应用场景

• 有机薄膜晶体管：高迁移率材料可直接用于构建高性能OTFT。
• 有机半导体：提供新型非苯类有机半导体骨架。
• 柔性电子：有机半导体可溶液加工，适用于柔性器件。
• 有机传感器：高迁移率和稳定堆积有利于传感器信号放大。