微掺杂IGO超薄薄膜

全组分可调

通过调控液态合金表面热力学与表面张力竞争，解决Ga2O3偏析，首次实现全范围精确掺杂的IGO超薄薄膜晶体管。

Jiaming, Guo · Li, Jing · Shanhao, Ze · Fei, Li · Wang, Junchao · Liu, Qing · Zhe, Hua · Liu, Yang · 刘飞 · Liu, Baodan

Applied Surface Science 2024

具体参数

薄膜厚度

{'zh': '<5', 'en': '<5'} nm

技术优势

全组分可调

通过调控吉布斯自由能与表面张力的竞争，解决了Ga₂O₃偏析问题，使IGO膜中Ga₂O₃含量可在全范围内精确控制。

厚度小于5纳米

采用液态InGa合金印刷法，创新性地制备出厚度低于5 nm的超薄IGO薄膜晶体管，为原子级厚度透明导电薄膜奠定基础。

关态电流大幅降低

Ga₂O₃的掺入显著降低了器件的关态电流，并增强了抗紫外干扰能力，有利于提升开关比和稳定性。

应用场景

• 透明电极：原子级厚度且组分可调的IGO膜适合作为高性能透明电极。
• 柔性透明器件：超薄IGO膜可集成到柔性基底，用于柔性透明电子器件。
• 薄膜晶体管背板：Ga₂O₃掺杂降低关态电流，适合作为薄膜晶体管沟道层。
• 光电器件：优异的光电性能和透明性可用于光电器件窗口层。
• 紫外光电探测：抗紫外干扰能力增强，可提高紫外探测器的信噪比。