迁移率提高约3倍
表面工程化的IAZO薄膜晶体管在提高载流子浓度的同时，实现了高迁移率与优异偏压和热稳定性，适用于先进单片三维集成。
Xie, Jingye · 76017083 · Minghe, Zhang · Dong, Junchen · 韩德栋 · 张幸
Applied Surface Science 2025
Al改性层诱导还原反应，增加氧空位，提高载流子浓度，从而大幅提升迁移率。
在正负栅偏压应力下，阈值电压漂移小于0.50 V，确保器件长时间工作稳定。
在空气中400 °C退火120 min后仍保持高性能，满足单片三维集成中的热预算要求。
基于该工艺的IAZO反相器实现87.55 V/V的高电压增益，展示其在单片三维集成中的可行性。