高κ Mn3O4单晶薄膜

介电常数135

一种高介电常数、低漏电的非层状单晶氧化物薄膜，可作为二维电子器件的栅介质。

Jiashuai, Yuan · Jian, Chuanyong · Yu, Yao · Bicheng, Wang · Li, Yixiang · 王儒涛 · Meng-Meng, Li · Hong, Wenting · He, Xu · 蔡倩 · 刘伟

Nature Communications 2025

参数信息

等效氧化层厚度

0.8 nm

击穿场强

10 MV/cm

场效应晶体管亚阈值摆幅

84 mV/dec

场效应晶体管回滞小于

2 mV/

技术优势

介电常数高达135