4H-SiC外延层

厚度掺杂双均匀

通过优化生长温度和气流比，在150 mm 4°离轴衬底上实现了表面粗糙度低至0.183 nm、厚度与掺杂均匀性同步提升的高质量同质外延层。

Tang, Zhuorui · Lin Gu · 马宏平 · Chaobin, Mao · Sanzhong, Wu · Nan, Zhang · Jiyu, Huang · 樊嘉杰

Crystals 2023

参数信息

表面粗糙度

0.183 nm

厚度不均匀度

0.79 %

掺杂不均匀度

3.56 %

技术优势

表面更平整

在1610 °C下表面粗糙度仅0.183 nm，比更高温度下生长的样品更平整，有利于后续器件加工。

厚度更均匀

通过采用H₂比为1.63的工艺，在1630 °C下将厚度不均匀度改善至0.79%（标准差/均值）。

掺杂更均匀

通过采用N₂比为0.92的工艺，在1630 °C下将掺杂不均匀度改善至3.56%（标准差/均值）。

应用场景

• SiC功率器件：为功率器件提供高质量外延层，减少缺陷和参数漂移。
• 宽禁带半导体：优化4H-SiC外延工艺，提升宽禁带材料均匀性。
• 半导体外延：精确控制温度和气流比，实现高均匀性同质外延。
• 薄膜制备：提供可重复的薄膜生长工艺，适用于大面积衬底。