4H-SiC晶锭

激光剥离高效低损

利用晶体各向异性调控激光扫描方向,通过正交策略兼顾低剥离力与低粗糙度,解决碳化硅晶锭切片质量与效率的矛盾。

Hongmei, Li · Hongwei, Wang · Wenyang, Cen · Lu, Xiwen · Yuxin, Li · Li, Lin · 闫胤洲 · Pan, Kewen · Wei, Guo

Materials and Design 2026

参数信息

6英寸晶锭切片时间
20 min
8英寸晶锭切片时间
30 min
6英寸材料损耗
80 μm
8英寸材料损耗
100 μm

技术优势

切片时间大幅缩短

采用正交扫描策略后,6英寸晶锭仅需20分钟、8英寸晶锭仅需30分钟即可完成切片,远快于传统方法。

材料损耗极低

该工艺的材料损耗仅约80 μm(6英寸)和100 μm(8英寸),显著减少衬底原材料的浪费。

兼顾低剥离力与低粗糙度

通过正交扫描策略,先构建主解理面,再细化裂纹网络,同时实现低剥离力和低表面粗糙度。

应用场景