石墨烯硅异质结晶体管

低压雪崩陡峭开关

无需高工作电压即可实现碰撞电离，突破传统硅器件亚阈值摆幅限制。

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Nature Communications 2024

具体参数

平均亚阈值摆幅
{'zh': '16', 'en': '16'} µV dec⁻¹
亚阈值摆幅工作电压
{'zh': '0.4', 'en': '0.4'} V
电压增益
{'zh': '311', 'en': '311'}

技术优势

低压就能雪崩

垂直结构使碰撞电离在低至 0.4 V 的工作电压下即可发生，无需额外高压电源。

开关几乎无迟滞

器件在宽电流范围内表现出近乎无迟滞的特性，有利于精确的模拟和逻辑电路设计。

逻辑增益高

由该器件构成的互补逻辑反相器在 2 V 供电下实现 311 的电压增益，展示了实际逻辑应用的潜力。

应用场景