双极输运失配约1%
面向自适应逻辑电路的氧化物-范德华准浮栅器件，兼具非易失极性切换与多位可编程能力。
Pengfei, Zhu · Zhang, Chi · Jingbo, Yang · Lee, Guo Wei · 武恩秀 · 王飞 · Lin, Yi Kuei · Zhaorui, Liu · 李军 · Li, Mengjiao · Lin, Yenfu · 张建华
Nature Communications 2026
电荷俘获工程使极性状态在断电后仍能保持，无需持续电压维持。
采用硅兼容的顶栅介质工艺，可晶圆级制备，无需额外工艺即可集成进CMOS流程。
单个器件可执行八种布尔操作，并能在AOI与OAI逻辑间无缝切换，减少电路面积。
该晶体管可简化三元内容寻址存储器的设计，提升逻辑内计算效率。