SnO₂顶栅薄膜晶体管

高迁移率

通过构建高质量的电介质/沟道接口，实现了低热预算下高性能溶液法氧化物TFT。

Fenglan, Kuang · Jinxuan, Wang · Jun, Zhao · Tao, Long · 李正

Surfaces and Interfaces 2024

参数信息

场效应迁移率

21.4 cm²/V·s

开关比

10⁹

阈值电压

0.39 V

亚阈值摆幅

94.7 mV/dec

正偏压应力下阈值电压漂移

0.08 V

负偏压应力下阈值电压漂移

-0.03 V

技术优势

迁移率够高

场效应迁移率达21.4 cm²/V·s，表明高质量界面有效减少了载流子散射。

开关干净

开关比高达10⁹，亚阈值摆幅仅94.7 mV/dec，关态漏电被有效抑制。

偏压下稳

在正偏压和负偏压应力下阈值电压漂移分别仅0.08 V和-0.03 V，界面缺陷少带来的稳定性提升。

应用场景

• 氧化物TFT：为高性能、低温制造的氧化物TFT提供直接工艺方案，可替代传统高温退火路线。
• 柔性电子：低温溶液法兼容柔性基底，可用于制造可弯折显示或逻辑电路。
• 传感器：高开关比和低亚阈值摆幅有利于提高传感器信噪比和灵敏度。