合成全息掩模

亚微米高保真

引入相位信息的合成全息掩模，在50 µm邻近间隙下可实现非周期结构最小线宽0.4 µm的成像，突破传统邻近光刻的分辨率限制。

Yuyang, Liu · 李思坤 · Dongchao, Pan

Optics Express 2025

参数信息

最小线宽

0.4 µm

掩模最小特征尺寸

0.8 µm

技术优势

分辨率提升至亚微米

通过合成全息掩模的相位信息，在50 µm邻近间隙下对非周期结构实现0.4 µm最小线宽成像。

适应复杂图形

该方法基于OMRAF投影迭代算法，对全息掩模的振幅和相位分布进行逐步离散化，符合掩模制造约束，能够处理更复杂的图形。

验证可行

利用电子束光刻制造了最小特征尺寸0.8 µm的全息掩模，实验结果证实了该方法的有效性和可行性。

应用场景

• 芯片制造：无需改造现有邻近光刻机，直接提升芯片制造分辨率。
• 微纳制造：实现亚微米级非周期结构加工，满足微纳制造需求。
• 光子学器件：用于制备光子学器件所需的精细结构。