阈值电压可调到反转
通过氧化蚀刻在边缘束缚氧掺杂，实现对MoS₂场效应晶体管电学特性的确定性调控，可从n型连续调至p型。
Ying-Ying, Zhang · Tianxiang, Zhao · Pengcheng, Wang · 刘雁雨 · Wang, Junjia · Li, Liyi · Zhang, Bo · 李德军 · Luo, Birong
Small 2026
氧和氧化物优先结合在蚀刻边缘位点，而不是基面，因此不会损伤沟道本征导电性。
通过掺杂导致的局部电子耗尽，器件的阈值电压正向移动，甚至从n型完全转为p型。
蚀刻时间直接决定电子耗尽程度，为器件电学性能提供确定性调节手段。