CuS二元电极的MoS₂欧姆接触

p/n型可调

利用同一材料不同晶面的功函数差异，在单层MoS₂上实现p型和n型欧姆接触，无需异质电极集成。

Ren, Yinti · Chen, Yuantao · Hu, Liang · Jianglong, Wang · Gong, Penglai · 张虎 · 黄丽 · 石兴强

Journal of Materials Chemistry C 2023

具体参数

p型肖特基势垒高度
{'zh': '0', 'en': '0'} eV
n型肖特基势垒高度
{'zh': '0', 'en': '0'} eV
CuS不同表面功函数范围
{'zh': '3.8', 'en': '3.8'} eV

技术优势

无需异质电极

同一材料CuS的不同表面即可获得n型和p型欧姆接触，工艺简化且界面兼容性更好。

势垒高度可调

通过增加MoS₂层数或选择特定CuS表面，肖特基势垒高度可在宽范围内调控，以适应不同器件需求。

弱金属性抑制钉扎

CuS的弱金属性有效抑制了金属诱导带隙态，从而减弱费米能级钉扎，使得接触势垒更容易被电极功函数调制。

应用场景