非晶衬底上外延
利用WS₂作为二维材料缓冲层，在非晶衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，突破了传统外延对单晶衬底的依赖。
Chen, Qi · Kailai, Yang · Shi, Bo · 伊晓燕 · 王军喜 · 李晋闽 · 刘志强
Advanced Materials 2023
通过在非晶衬底上使用WS₂作为缓冲层，实现了单晶GaN薄膜的外延生长，不再依赖传统单晶衬底。
氮化物/二维材料界面的原子相互作用与衬底性质相关：单晶衬底上表现为共价键界面，非晶衬底上表现为范德华界面，这为生长front的构建提供了策略。
该策略为多种半导体的异质集成开辟了途径，可望在不同衬底上集成GaN基器件与其他材料体系。