GQDs掺杂InGaO薄膜晶体管

阈值电压漂移仅0.04V

石墨烯量子点掺杂的溶液法InGaO TFT，在偏压和光照应力下阈值电压漂移极小，同时保持高迁移率和低亚阈值摆幅，适合低功耗显示与传感。

Xu, Xiaofen · 何刚 · Wang, Leini · Wang, Wenhao · Wu, Xiaoyu

Rare Metals 2023

具体参数

场效应迁移率

{'zh': '22.02', 'en': '22.02'} cm²·V⁻¹·s⁻¹

开关比

{'zh': '7.06 × 10⁷', 'en': '7.06 × 10⁷'}

亚阈值摆幅

{'zh': '0.09', 'en': '0.09'} V·dec⁻¹

阈值电压漂移

{'zh': '0.04', 'en': '0.04'} V

技术优势

迁移率大幅提升

0.3 mg·ml⁻¹ GQDs掺杂优化了薄膜的载流子传输，迁移率达22.02 cm²·V⁻¹·s⁻¹。

应力下电压漂移极小

负偏压应力3600 s后阈值电压仅漂移0.04 V，稳定性出色。

开关比高

开关电流比达7.06 × 10⁷，适合低功耗逻辑应用。

亚阈值特性陡

亚阈值摆幅仅0.09 V·dec⁻¹，器件开关速度快。

应用场景

• 柔性显示背板：低亚阈值摆幅实现快速像素开关，迁移率高保证驱动电流。
• 生物传感器：高开关比可放大微弱生物信号。
• 可穿戴电子：柔性的溶液法薄膜工艺适合曲面贴附。
• 物联网传感器：低功耗高稳定性可支撑长期无人值守传感。