300mm单晶硅锭

超低氧低缺陷

通过垂直不对称磁场精确调控熔体对流，实现氧含量与缺陷密度的协同抑制，提升大直径硅片质量。

Haojun, Hu · Siqing, Shen · He, Zirui · Yongli, Liang · Hao, Hu · 高尚 · 陈萌

Materials Science in Semiconductor Processing 2026

具体参数

氧浓度

{'zh': '5', 'en': '5'} ppma

熔体-固体界面中心到边缘偏转

{'zh': '12', 'en': '12'} mm

技术优势

氧浓度压到5 ppma以下

通过优化磁比（MR=1:1.25）形成垂直不对称磁场，重构熔体对流涡旋，实现氧传输的精确调控，从而在延伸轴向窗口内维持氧浓度低于5 ppma。

界面从凹陷拉到平整

垂直不对称磁场使熔体-固体界面中心到边缘偏转从−42 mm变为12 mm，改善界面形状，有利于降低缺陷。

COP缺陷显著减少

在优化的垂直不对称磁场条件下，晶体原生颗粒（COP）密度显著降低，已通过表面扫描检测系统（SSIS）缺陷图证实。

应用场景

• 大直径硅片：为300mm硅片提供超低氧低缺陷的单晶锭原料。
• 半导体器件制造：低氧低缺陷晶体提升器件性能和可靠性。
• 集成电路衬底：低COP密度有利于提高集成电路衬底质量。
• 晶体生长装备：验证了垂直不对称磁场构型在晶体生长装备中的有效性。