集成反相器增益13 V/V
一种采用双面工艺单片集成的互补垂直场效应晶体管，实现了性能平衡的CMOS反相器。
Du, Yong · 张永奎 · 朱慧珑 · Binghui, Wang · 王琪 · Wenliang, Liu · Wang, Zhengchao · Luo T.R. · Lu, Shunshun · Sun P.H. · Chen X.Y. · Yantong, Zheng · 杨红 · Li, Junjie · 李峻峰 · 王晓磊 · 罗军 · 王文武 · Dai B.W. · 叶甜春
IEEE Electron Device Letters 2025
通过双面工艺在同一衬底上实现NMOS和PMOS垂直场效应管，无需分别制造后再键合。
反相器电压增益达13 V/V（VDD=1.2 V），表明器件具有陡峭的电压传输特性。
采用自对准高κ金属栅工艺，有助于减小寄生电容和栅泄漏，提升器件性能。