α-Ca₃N₂ p型阻挡体

n型可掺p型抑制

该宽禁带氮化物中氮空位主导本征n型导电，p型掺杂因缺少高溶解浅受主而受抑制，为取向明确的电子功能层提供掺杂路径。

Shouze, Qiu · 许鹏 · Liyin, Zhang · Shun, Guo · Jingya, Tang

Journal of Physics and Chemistry of Solids 2026

技术优势

n型掺杂明确可行

H、Si、Ge、Ga、O、S均可作为施主，其中间隙Si和Ge具有特别高的掺杂效率。

轻元素更有效

较轻的掺杂元素比重元素具有更高的掺杂效率，这可以作为筛选施主的一条简单判据。

本征缺陷n型

氮空位自发使材料呈n型导电，无需外部掺杂即可获得电子传导。

应用场景

• 氮化物半导体掺杂：明确了p型阻挡的微观根源，可直接确定n型掺杂策略。
• 宽禁带半导体器件：为这类器件提供稳定的n型导电层材料，无需担心p型补偿干扰。
• n型电子功能层：直接作为n型层使用，本征缺陷即可保证导电。