超薄HfO₂栅介质

0.97 nm等效氧化层

利用1T'-MoTe₂的自然氧化作为成核层，ALD直接沉积高质量HfO₂，实现低于5 nm的超薄高κ介质，无需种子层或转移工艺。

Chen, Enzi · 朱青 · Duan, Yaoyu · Junhao, Tang · 詹润泽 · Huang, Jingwen · 万茜 · 陈琨 · 邓少芝

ACS Applied Materials & Interfaces 2024

参数信息

等效氧化层厚度

0.97 nm

工作电压低于

1 V

迁移率

2.93 cm²V⁻¹s⁻¹

阵列器件成品率

86.7 %

技术优势

电流开关比超过10⁵