MoS₂单层FET

与Si FinFET单片集成

采用产业成熟的后端兼容工艺,在20 nm鳍宽Si FinFET上集成MoS₂ FET,展示硅基与二维材料的单片3D集成路线。

Shi-Xian, Guan · Yang, Tilo H. · Yang, Chihhao · Hong, Chuanjie · Liang, Borwei · Simbulan, Kristan Bryan C. · Chen, Jyunhong · Su, Chunjung · Li, Kaishin · Zhong, Yuanliang · Lain-Jong, Li · Lan, Yann Wen

npj 2D Materials and Applications 2023

技术优势

与20 nm鳍宽Si p-FinFET实现单片3D集成

最大增益约38