超薄单晶高k介质

等效氧化层近1 nm

用微波陶瓷MnNb2O6在二维晶体管上做出等效氧化层厚度接近1纳米的栅介质，同时保持低漏电和高击穿强度，解决二维材料难以集成高质量高k绝缘层的难题。

Hui, Li · Xu, Chuan · Chen, Chen · Zhou, Tianya · Qiang, Wang · Rui, Liu · Cheng Hui-Ming · 任文才

Journal of Materials Science and Technology 2027

参数信息

击穿强度

15.2 MV/cm

等效氧化层厚度接

1 nm

亚阈值摆幅

72 mV/dec

技术优势

介电常数 ≈21.4