Gd掺杂ZrO₂栅介质

界面缺陷近零

通过UVO辅助溶胶-凝胶和热处理调控，ZrGdOx薄膜在非晶态下实现高介电常数与极低界面缺陷，适合用作高质量CMOS栅介质。

Tuokedaerhan, Kamale · Azamat Nurlanuly, Zhambyl

RSC Advances 2025

参数信息

Vfb

0.01 V

Nbt

2.7 × 10^10 cm

技术优势

500°C热处理时介电常数最高，k = 19.3

500°C时漏电流密度最低，J = 9.61 × 10^-6 A cm^-2