亚5纳米β-CuI沟道

突破摩尔定律

单层和双层β-CuI作为沟道材料，在亚5纳米栅长下实现高性能n-MOSFET，性能超越现有二维材料晶体管。

Husain, Mudasser · Younas, Ahmed · Xingyue, Yang · Zong-Meng, Yang · Jia-Hui, Li · Dong, Jichao · Xu, Linqiang · Rahman, Nasir U. · Fang, Shibo · Lü, Jing

Materials Today Nano 2026

参数信息

亚阈值摆幅（单层 β-CuI）
61 mV dec⁻¹
开态电流（双层 β-CuI）
1205 μA μm⁻¹
亚阈值摆幅（双层 β-CuI）
73 mV dec⁻¹
电源电压
0.55 V

技术优势

性能全面达标

亚 5 nm 栅长下开态电流与亚阈值摆幅同时满足 ITRS 高性能标准，可直接替代现有硅基器件。

栅控近乎理想

单层β-CuI FET 的亚阈值摆幅为 61 mV dec⁻¹，接近 60 mV dec⁻¹ 的理论极限，能有效抑制短沟道效应。

供电电压可低至0.55V

在 0.55 V 超低电源电压下即可实现高性能开关，大幅降低动态功耗。

应用场景