超薄沟道双模
通过AlN背势垒厚度调控，可在高频与高压两种工作模式间切换的GaN HEMT器件。
Wenjun, Liu · Zhang, Yachao · Wang, Zhizhe · 苏凯 · 赵胜雷 · 许晟瑞 · 张金风 · Yao, Yixin · Baiqi, Wang · Yaolong, Dong · 74227950 · 张进成
Applied Physics Letters 2026
只需调整AlN背势垒厚度即可改变器件工作模式，无需更换材料体系或工艺平台。
在3.6 GHz下实现69%功率附加效率，说明器件在高频下损耗低，适合高效功率放大。
1 μm AlN背势垒器件击穿电压达1.78 kV，可承受电力转换中的高电压。