LaFMD钝化SiGe栅堆叠

界面态密度降80%

利用LaFMD钝化技术，在不增加等效氧化层厚度的情况下，同时将界面态密度降低一个数量级并实现330 mV的平带电压调控。

XiaoTong, Mao · 李永亮 · Yu, Zhou · Xiaofeng, Jia · 杨帅 · 赵飞 · Liu, Haoyan · Longyu, Sun · 王盛凯 · Jianfeng, Gao · 王晓磊 · 王文武

IEEE Electron Device Letters 2025

参数信息

界面态密度（钝化前）
4.11×10¹² eV⁻¹·cm⁻²
界面态密度（钝化后）
7.43×10¹¹ eV⁻¹·cm⁻²
平带电压调制
330 mV
等效氧化层厚度波动
0.01 nm

技术优势

界面态降低八成

LaFMD钝化促进界面层生成GeO2和La-O键，抑制GeO，从而大幅降低界面态密度。

EOT几乎不变

钝化过程仅引起0.01 nm的等效氧化层厚度波动，保持栅电容密度。

VFB调制更大

在更小等效氧化层厚度下，实现比La2O3处理更优异的VFB调制能力和界面态密度。

应用场景