共价键合2D金属-半导体接触

隧穿概率提升至88%

将范德华界面替换为共价键,同时实现欧姆接触并抑制隧穿势垒,载流子注入效率大幅提高。

Wenchao, Shan · Shi, Anqi · Zhengyang, Xin · 张秀云 · 王冰 · 李永涛 · 牛相宏

Advanced Functional Materials 2025

具体参数

隧穿概率
{'zh': '88.09', 'en': '88.09'} %

技术优势

隧穿概率接近90%

通过共价键替代范德华键,载流子隧穿概率从0.4%大幅提升至88.09%,注入效率显著提高。

无需牺牲欧姆接触

共价键界面依然保持弱费米能级钉扎和欧姆接触,不会因界面改性引入肖特基势垒。

适用60种接触组合

基于2D XSi2N4(X = Cr, Hf, Mo, Ti, V, Zr)半导体与MXene金属家族,该方法在60种材料组合中均有效。

应用场景