介电常数更高
以0.3纳米周期叠层的HfO2/ZrO2超晶格作为栅介质，相比固溶HZO薄膜显著提升介电常数并降低界面陷阱密度，用于锗堆叠纳米片GAA晶体管时提供更高饱和电流和更优亚阈值摆幅。
Lin, Yiwen · Chen-You, Wei · Kai-Wei, Huang · Tzu-I, Kao · Jun-Wei, Wu · Luo, Guangli · Wu, Yungchun · Hou, Fuju
IEEE Electron Device Letters 2025
超晶格结构增强电容密度，实现比传统固溶HZO更小的等效氧化层厚度，提升栅控能力。
界面陷阱密度分布更低，减小载流子俘获，改善亚阈值摆幅和器件稳定性。
在时间相关介电击穿测试中表现优异，栅介质可靠性更高，延长器件寿命。
采用0.3 nm超晶格HZO的Ge堆叠纳米片GAA FET实现更高饱和电流，提升器件性能。