自偏置MoS₂晶体管

亚皮瓦静态功耗

通过沟道间隙形成可调势垒，规避二维材料极性控制难题，实现高可靠、高耐久、反向饱和电流低于1 pA的晶体管

Wei, Xiaofu · 张先坤 · Yu, Huihui · Li, Gao · Tang, Wenhui · Hong, Mengyu · Zhangyi, Chen · 康卓 · 张铮 · 张玥

Nature Electronics 2024

参数信息

反向饱和电流低于

1 pA

动态延迟时间

约200 μs

噪声容限

90 %

开关阈值电压

约0.5 V

技术优势

静态功耗数皮瓦

峰值电压增益241