WSe₂/MoS₂互补负电容晶体管

亚阈值摆幅低于60 mV/dec

垂直堆叠n/p沟道的范德华异质结构，在低功耗互补逻辑中同时实现陡峭开关和超高面积效率。

Zhang, Siqing · 罗拯东 · 甘雪涛 · Zhang, Dawei · Yang, Qiyu · Dongxin, Tan · Jie, Wen · 刘艳 · 韩根全 · Hao, Yue

Applied Physics Letters 2024

参数信息

亚阈值摆幅低于

60 mV/decade

功耗

129.7 pW

技术优势

电压增益78.34