单晶Al₂O₃介质

1.25 nm 晶圆级

以插层氧化法在铝表面室温形成原子级薄单晶氧化铝，作为2D晶体管顶栅介质，界面质量与漏电特性满足IRDS路线图要求。

Chu, Paul K. · 梅永丰 · Tian, Ziao · 狄增峰

Nature 2024

参数信息

厚度

1.25 nm

亚阈值摆幅

61 mV dec⁻¹

回滞

10 mV

技术优势

开/关电流比 10⁸