SiGe/Si超晶格铁电场效应管

亚阈值摆幅近理论极限

用铁电HZO做栅介质的超晶格沟道器件，短沟道效应被显著抑制，适合超低功耗逻辑应用。

Yao, Yiju · Ting-Yu, Tseng · Ching-Ru, Yang · Tsai-Jung, Lin · Heng-Jia, Chang · Luo, Guangli · Hou, Fuju · Chang-Liao, Kuei Shu · Wu, Yungchun

IEEE Electron Device Letters 2023

参数信息

最小亚阈值摆幅（n型）
62.4 mV/dec
最小亚阈值摆幅（p型）
71.1 mV/dec
漏致势垒降低（n型）
26.4 mV/V
漏致势垒降低（p型）
37.6 mV/V
电压增益（CMOS反相器）
111.4 V/V

技术优势

更省电

亚阈值摆幅接近理论极限，器件开关更快，静态漏电更少，适合低功耗电路。

漏电更少

DIBL被压低到26.4和37.6 mV/V，短沟道下漏电控制更好。

应用场景