氟化二金刚烷单层

沟道迁移率高

这种氟化二金刚烷单层作为MOSFET沟道材料，同时满足ITRS对高性能和低功耗应用的亚7纳米节点要求，超越多数已报道的二维材料。

董林鹏 · Penghui, Li · Li, Chong · Roqan, Iman S. · 蓬勃 · Xin, Bin · 刘卫国

Carbon 2023

参数信息

电子迁移率

4390 cm

空穴迁移率

10100 cm

技术优势

亚7 nm MOSFET性能满足ITRS高性能和低功耗标准