单栅极简化工艺
一款面向1nm节点的单栅极CFET器件，通过异质取向Ge纳米线实现高性能互补晶体管的简化制造。
Lin, Yiwen · Bo-An, Chen · Kai-Wei, Huang · Bo-Xu, Chen · Luo, Guangli · Wu, Yungchun · Hou, Fuju
IEEE Electron Device Letters 2024
采用单栅极结构即可实现互补FET功能，无需额外的栅极堆叠步骤。
3D TCAD仿真表明该CFET器件在1nm节点应用中性能优异。
nFET采用(111)面Ge菱形纳米线，pFET采用(110)面Ge矩形纳米线，利用各自最优晶面提升器件性能。