氦损伤硅/碳化硅衬底

肿胀首次被建模

本成果首次对氦聚焦离子束在硅和碳化硅衬底上造成的亚表面损伤实现了肿胀的真实预测描述。

Chen, Qianhuang · Gos̈alvez, Miguel A. · Li, Qi · 幸研

Journal of Materials Research and Technology 2023

技术优势

肿胀能预测了

利用位置依赖输入，每个像素作为独立数据源，使网络在仅用少数图像训练后即可生成局部特征，首次准确描述凸起高度与形状。

小数据也能训练

将每个像素视为独立数据源，把少量图像转化为百万级数据集，突破了深度网络对大量标注图像的需求，降低损伤建模的数据成本。

应用场景

• 离子束加工：用模型预测加工损伤与肿胀，反推工艺参数。
• 半导体衬底损伤评估：快速评估离子束对衬底的亚表面损伤。