铁掺杂双层WS₂薄膜

厘米级单轴定向

通过铁辅助外延实现厘米级均匀双层二硫化钨，兼具高迁移率和低肖特基势垒，推动晶体管持续微缩。

Xiaohui, Li · Du, Ruofan · Quankun, Luo · Feng, Wang · Yang, Junbo · Song, Luying · Wen, Xia · Peng, Yanan · Yulin, Jiang · Hang, Sun · Ling, Huang · 李辉 · 肖梦梦 · Jun, He · 史建平

Nano Research 2025

参数信息

电子迁移率

169 cm2·V−1·s−1

技术优势

厘米级连续薄膜

铁辅助外延在衬底表面形成平行台阶，诱导边缘成核，从而长出厘米级均匀双层WS₂。

单向排列

平行台阶诱导边缘成核，使双层WS₂晶畴沿单一方向排列，形成连续薄膜。

应用场景

• 二维半导体晶体管：该薄膜为晶体管沟道材料，可制备高性能逻辑器件。
• 高性能场效应管：高迁移率与高开关比使其适用于高性能场效应管。
• 晶圆级二维材料：厘米级薄膜为晶圆级器件集成奠定基础。
• 射频开关器件：高迁移率与高开关比有助于实现高性能射频开关。