FGaT 斯格明子晶格

室温磁场退火

在二维范德瓦尔斯磁体 Fe3GaTe2 中实现室温下由振荡磁场驱动的斯格明子晶格退火，将无序结构转变为有序晶格。

Zhang, Jingwei · Li, Heping · Li, Yaqi · 刘嘉琪 · Ma, Nvsen Sen · 士研 · 郝维昌 · 张士磊 · 冯海凤 · 杜轶

Nature Communications 2026

技术优势

室温就能退火

无需热激活，振荡磁场在室温下驱动斯格明子从无序变为有序晶格。

电流能调各向异性

双极电流脉冲通过晶格畸变产生各向异性 hexatic 态，增加了调控自由度。

两种外场同一机制

磁场和电流驱动的退火都遵循缺陷介导的结晶动力学，便于理论描述和预测。

应用场景

• 自旋电子器件：用外场调节斯格明子晶格有序度，为自旋电子器件提供可重构的拓扑自旋纹理。
• 范德瓦尔斯磁体：作为二维范德瓦尔斯磁体平台，展示室温下斯格明子晶格退火行为。
• 拓扑自旋结构调控：通过外场调制实现斯格明子晶格从无序到有序的转变，提供拓扑自旋纹理调控手段。
• 可重构磁存储：退火过程可改变斯格明子晶格状态，为可重构磁存储的多态写入提供可能。