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通过调控铁电与反铁电序竞争，在固溶体中实现可大面积制备、电学可操控的极性斯格明子纳米畴，摆脱了传统异质结构中苛刻的边界条件限制。
Zheng, Weijie · Ren, Yifeng · Xu, Jibo · Zheng, Chunyan · Liu, Jianyi · 刘晓辉 · Deng, Yu · 聂越峰 · 吴迪 · Bellaïche, L. · Yang, Yurong · 温峥
Nature Materials 2025
斯格明子畴直接在铁电-反铁电固溶体中形成，通过铁电与反铁电极化序的竞争来稳定，避免了传统超晶格或多层膜中必须精细设计的边界条件。
斯格明子畴表现出可逆的写入/擦除特性，能够通过电学手段对极性构型进行调控，为器件化操作提供了直接途径。
写入的畴结构具有长期保持能力，有利于信息存储应用中的非易失性。