镍二卤化物晶界

钉扎纳米斯格明子

该晶界能稳定超小斯格明子和反斯格明子，并消除斯格明子霍尔效应。

杨敏 · Yuheng, Liu · Hernangómez-Pérez, Daniel · 闫羽

Nano Letters 2026

参数信息

斯格明子/反斯格明子尺寸

1.4 nm

技术优势

消除斯格明子霍尔效应

晶界处钉扎的反铁磁排列畴段导致斯格明子沿晶界方向运动，从而抑制了横向偏转。

尺寸仅约 1.4 nm

在 NiCl2 和 NiBr2 的晶界处形成超小亚稳态斯格明子/反斯格明子，直径约 1.4 nm，远小于常规拓扑自旋结构。

应用场景

• 自旋电子学器件：提供超小、稳定的拓扑自旋结构，可直接用于数据编码与操控。
• 赛道存储器：沿晶界驱动斯格明子且无霍尔效应偏转，适合做信息跑道。
• 磁斯格明子：在二维范德华磁体中实现晶界钉扎的超小斯格明子。
• 存算一体：稳定多态自旋结构可降低数据搬运开销。