Pd插层Fe3-δGaTe2斯格明子

43 nm最小尺寸

通过Pd原子插层增强DMI、抑制海森堡交换，在室温下获得直径43 nm、可超快多级调控的斯格明子，为高密度自旋神经形态计算提供新平台。

Zhang, Huai · Hu, Yue · Su, Rui · Li, Zefang · 周晴 · 赵国平 · 高兴森 · 胡杨凡 · Xue, Jiang · Jijun, Zhao · 车仁超 · 付学文 · 侯志鹏 · 刘俊明

Nature Communications 2026

具体参数

斯格明子直径

{'zh': '43', 'en': '43'} nm

单个斯格明子产生能耗

{'zh': '0.6', 'en': '0.6'} pJ

模拟训练准确率

{'zh': '91', 'en': '91'} %

技术优势

尺寸全球最小

Pd插层增强DMI并抑制海森堡交换，将室温下磁场稳定的斯格明子平均直径缩小到43 nm，为范德华磁体中最小的报道值。

能耗极低

飞秒激光产生单个斯格明子仅需0.6 pJ，为低功耗信息写入提供可能。

多级可调

通过调节激光脉冲数即可确定性改变斯格明子密度，为多态存储和神经形态计算提供硬件基础。

应用场景

• 自旋电子学器件：提供高密度、低能耗的斯格明子单元，用于新型磁存储和逻辑器件。
• 神经形态计算：利用多级密度调控实现权重映射，构建光学神经形态计算硬件。