室温密度可调超一个量级
通过离子液体门控驱动氢离子迁移，在室温下实现对铁磁斯格明子密度、直径与稳定磁场范围的可逆调控，为低功耗自旋电子器件提供新途径。
Zhang, Zhiyu · 崔彬 · Li, Huilin · Ren, Xue · Hehe, Ding · 张铉 · Mi, Wei · Huachao, Li · 王硕 · 刘新宇 · 成彬 · 刘亮 · 胡季帆
Advanced Materials 2026
无需改变异质结构组分或温度，仅施加栅压即可在室温下将斯格明子密度、直径和稳定磁场范围调控超过一个数量级。
正栅压驱动H⁺迁移进入Pt和Gd层，降低垂直磁各向异性及斯格明子成核能；负栅压则产生相反效果，从而实现可逆调控。
正栅压下H⁺聚集降低Dzyaloshinskii-Moriya相互作用常数，从而抑制电流驱动斯格明子运动，为动态调控提供额外手段。