单晶氧化物磁性斯格明子

Zhang, Jine E.; Wang, Mengxin; Zhang, Zhizhong; Huang, Hailin; Zhu, Liang; Liu, Dan; Zhang, Hui; Yang, Huaiwen; Li, Zhe; Shi, Wenxiao; Zheng, Jie; Chen, Yunzhong; Hu, Fengxia; Yang, Hongxin; Zhao, Weisheng; Shen, Baogen; Zhang, Yue; Chen, Yuansha; Sun, Jirong

单晶氧化物磁性斯格明子

电流驱动阈值低2-3个数量级

区别于金属多层膜和范德华异质结中的斯格明子，这种单晶氧化物薄膜中的斯格明子可在极低电流密度下被驱动，为低功耗自旋电子器件提供了新途径。

Zhang, Jine E. · Wang, Mengxin · Zhang, Zhizhong · Huang, Hailin · Zhu, Liang · 刘丹 · 张慧 · 杨怀文 · 李哲 · Shi, Wenxiao · 郑杰 · 陈云中 · 胡凤霞 · 杨洪新 · 赵巍胜 · 沈保根 · 张悦 · 陈沅沙 · 孙继荣

Nano Letters 2023

具体参数

电流驱动阈值电流: ~2.3×10⁴ A/cm²

技术优势

密度~60/μm²

尺寸几十纳米

尺寸几十纳米，由电脉冲在磁背景中产生