可转移高k CCTO电介质薄膜

Yao, Zhixin; Tian, Huifeng; Sasaki U.; Sun, Huacong; Hu, Jingyi; Xue, Guodong; Jung, Ye-seul; Li, Ruijie; Li, Zhenjiang; Liao, Peichi; Wang, Yihan; Lina Yang, Zhang; Yin, Ge; Zhang, Xuanyu; Yijie, Luo; Cho, Yong-soo; Liu, Peizhi; Liu, Kaihui; Zhang, Yanfeng; Wang, Lifen; Guo, Junjie; Liu, Lei

可转移高k CCTO电介质薄膜

无损集成二维半导体

湿化学法制备的无定形钙钛矿型复合氧化物薄膜，能栅控MoS2等二维材料，同时兼作可见光浮栅，实现单一器件内的感内逻辑运算。

Yao, Zhixin · Tian, Huifeng · Sasaki U. · Sun, Huacong · Hu, Jingyi · Xue, Guodong · Jung, Ye-seul · 李瑞杰 · Li, Zhenjiang · Liao, Peichi · Wang, Yihan · Lina Yang, Zhang · Yin, Ge · Zhang, Xuanyu · Yijie, Luo · Cho, Yong-soo · 刘培植 · 刘开辉 · 张艳锋 · 王立芬 · 郭俊杰 · 刘磊

Nature Communications 2025

具体参数

亚阈值摆幅: 67 mV dec⁻¹
超小回滞: 约1 mV/

技术优势

高介电常数(k)达42.9

通过可见光激活的非易失性浮栅，在单一器件中执行9种基本布尔逻辑感内运算