钇掺杂HZO铁电电容器

Ajay, Agarwal; Walke, Amey Mahadev; Ronchi, Nicolò; Popovici, Mihaela Ioana; William Cheng-Yu, Ma; Su, Chunjung; Kao, Kuo-Hsing; van Houdt, Jan V.

钇掺杂HZO铁电电容器

4K下抗疲劳且免印迹

该电容器在4K下表现出无疲劳循环达10¹²次，无需唤醒，是低温量子与神经形态计算的理想存储单元。

Ajay, Agarwal · Walke, Amey Mahadev · Ronchi, Nicolò · Popovici, Mihaela Ioana · William Cheng-Yu, Ma · Su, Chunjung · Kao, Kuo-Hsing · van Houdt, Jan V.

IEEE Electron Device Letters 2025

参数信息

Pr: ~20 μC/cm²

技术优势

疲劳-free耐力达10¹²次循环

保持时间>10⁵ s

抗印迹